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?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
December 2004
1N3064 Rev. A
1N3064 Small Signal Diode
1N3064
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 75 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 300 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5
μA75V
VF
Forward Voltage IF
= 250
μA
505
575
mV
IF
= 1mA
550
650
mV
IF
= 2mA
610
710
mV
IF
= 10mA
1.0
V
IR
Reverse Leakage VR
= 50V
100
nA
VR
= 50V, T
A
= 150
°C
100
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 2 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, R
L
= 100
?, Irr
= 1mA 4 ns
DO-35
Color Band Denotes Cathode
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